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71V424L12YG8中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
71V424L12YG8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V424L12YG8 封裝/外殼為36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
| 文件大小 |
72.68 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-20 11:06:00 |
71V424L12YG8規(guī)格書詳情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V424L12YG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
4Mb（512K x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
12ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
36-SOJ
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
57000 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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IDT, Integrated Device Technol |
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36-SOJ |
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Integrated Device Technology ( |
2022+ |
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