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71V424L10YGI集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V424L10YGI
廠商型號(hào)

71V424L10YGI

參數(shù)屬性

71V424L10YGI 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

文件大小

189.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-19 22:59:00

71V424L10YGI規(guī)格書詳情

Features

◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆ Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ Single 3.3V power supply

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and

44-pin, 400 mil TSOP.

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

71V424L10YGI屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V424L10YGI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V424L10YGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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