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71V424L12PHGI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
71V424L12PHGI |
參數(shù)屬性 | 71V424L12PHGI 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
72.68 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-11-20 11:06:00 |
71V424L12PHGI規(guī)格書詳情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V424L12PHGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
12ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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60000 |
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IDT, Integrated Device Technol |
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