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71V3559S80PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：100-LQFP 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V3559S80PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：100-LQFP 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V3559S80PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：100-LQFP 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V3559S80BG	文件：996.97 Kbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx18,3.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounter,Flow-ThroughOutputs Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V3559S80PF	文件：996.97 Kbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx18,3.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounter,Flow-ThroughOutputs Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V3559S80PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤(pán)
存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（256K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多71V3559S80PFG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-2 16:30:00

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