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71V016SA20PHG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20PHG

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA20PHG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20PHGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20PHGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20PHGI

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA20PHGI8

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA20BFG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20BFGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20YG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA20YGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V016SA20PHG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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Integrated Device Technology
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多71V016SA20PHG供應商 更新時間2025-1-18 10:02:00