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2SD1766

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ●LowVCE(s

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1766

Medium Power Transistor

Features ●LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SD1766

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SD1766

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) ●PC=0.5W(Mountedonceramicsubstrate) ●Smallflatpackage. ●Complementarypairwith2SB1188. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SD1766

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)=0.16V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) ?Complementsto2SB1188

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SD1766

Medium power transistor (32V, 2A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1766

Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SD1766

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SD1766

2A, 40V NPN Epitaxial Planar Transistor

DESCRIPTION The2SD1766issuitedfortheoutputstageof0.5Waudio,voltageregulator,andrelaydriver.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1766

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) PC=0.5W(Mountedonceramicsubstrate) Smallflatpackage. Complementarypairwith2SB1188. APPLICATIONS Poweramplifierapplication.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD1766

Medium Power Transistor (32V, 2A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1766

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1766

Medium power transistor (32V, 2A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1766

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SD1766P

Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SD1766-P

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Complementsto2SB1188 ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation)

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1766-P

2A, 40V NPN Epitaxial Planar Transistor

DESCRIPTION The2SD1766issuitedfortheoutputstageof0.5Waudio,voltageregulator,andrelaydriver.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1766Q

Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SD1766-Q

2A, 40V NPN Epitaxial Planar Transistor

DESCRIPTION The2SD1766issuitedfortheoutputstageof0.5Waudio,voltageregulator,andrelaydriver.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1766-Q

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Complementsto2SB1188 ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation)

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD1766

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SC2873,2SC3443,2SD1119,2SD1614,2SD1623,2SD1766,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD1766

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
163000
SOT-89
10+
0
新到現(xiàn)貨價(jià)錢差不多就賣了
 詢價(jià)
ROHM/羅姆
2019+
SOT89
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價(jià)
長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶
23+
SOT-89
30000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
20+
SOT-89
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
24+
SOT-89-3L
30000
長(zhǎng)晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢(shì)供應(yīng),歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)電
2406+
SOT89
10025
承諾銷售的所有產(chǎn)品原裝正品,
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
24+
SOT89
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ROHM
2024
SOT-89
58209
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
23+
SOT-89
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低
 詢價(jià)
ROHM
SOT23
1000
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
 詢價(jià)
更多2SD1766供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 9:01:00

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