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2SD1780	文件：142.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1780ishighhFEtransistor,built-inazenerdiodeatB-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerormotordriver.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SD1781	文件：78.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor 0.8A,40VNPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1781	文件：1.64668 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1781A	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781A_R1_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781A_R2_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781K	文件：93.29 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ?IC/IB=500УA(chǔ)/50mA? 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1781K	文件：37.48 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor MediumPowerTransistor Features VeryLowVCE(sat).VCE(sat)=-0.1V(Typ.)IC/IB=500mA/50mA Highcurrentcapacityincompactpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1781K	文件：702.06 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1781K	文件：59.81 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ?IC/IB=500УA(chǔ)/50mA? 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1781KT146Q	文件：59.81 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ?IC/IB=500УA(chǔ)/50mA? 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1781KT146R	文件：59.81 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ?IC/IB=500УA(chǔ)/50mA? 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1782	文件：571.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighBVCEO ●Complementsthe2SB1198	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1782	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782	文件：1.2037 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVCE(sat) HighBVCEO Complementsthe2SB1198	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1782	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
2SD1782G-Q-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782G-R-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782K	文件：36.87 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=0.5A/50mA) ●HighVCEO,VCEO=80V.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1782K	文件：80.37 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 0.5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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晶體管資料

型號：
2SD1781K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_LO.SAT
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號：
BCW65,BCW66,BCX41,2SC4210,2SD596,2SD1328,BCW66,BCX41,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
40
htest：
150000000
atest：
0.8
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SD178
制造商：
ROHM Semiconductor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
飛利飛科技有限公司	2SD1781	ROHM	14+無鉛	SOT-23	25700	優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!!	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SD1781	CJ/長電	2021+	SOT-23	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
深圳市金泰福電子科技有限公司	2SD1781	CJ/長晶	24+	SOT-23	30000	長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	2SD1781	CJ/長晶	23+	SOT-23	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1781	ROHM	24+	SOT-23	96200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SD1781	長電	2020+	SOT23	1714	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	2SD1781	NA	19+		59387	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	2SD1781	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	2SD1781	長電	22+23+	SOT-23	23805	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SD1781	長電	2017+	SOT-23	615008	全新原裝正品現(xiàn)貨/長期大量供貨!!	詢價

更多2SD178供應(yīng)商更新時間2023-6-8 12:14:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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