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2SC5200-O-AL-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SC5200	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：157.43 Kbytes Page：8 Pages	HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2SC5200	文件：921.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC5200	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC5200	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATION ?Complementaryto2SA1943 ?Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-3PLpackage ?Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ?Highcurrentswitching ?Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC5200A	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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更多2SC5200-O-AL-N-B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 11:06:00

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