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2SC5200

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES *Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. *ComplementarytoUTC2SA1943

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC5200

NPN Epitaxial Silicon Transistor

1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

2SC5200

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC5200

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PLpackage ?Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ?Highcurrentswitching ?Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATION

?Complementaryto2SA1943 ?Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SC5200

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

2SC5200

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5200

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5200

150 Watt Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

2SC5200

Silicon NPN Triple Diffused Transistor

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

2SC5200

Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC5200

150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

2SC5200

TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC5200

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5200

Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5200

包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 230V 15A TO264

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

2SC5200N

150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SA1943N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

2SC5200-OQ

power amplifier applications

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS ?Complementaryto2SA1943 ????????Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    2SC5200

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_HIFI_輸出極 （E）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    230V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    30MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC4029,

  • 最大耗散功率：

    150W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-62

  • vtest：

    230

  • htest：

    30000000

  • atest：

    15

  • wtest：

    150

產品屬性

  • 產品編號：

    2SC5200

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 800mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    55 @ 1A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264

  • 描述：

    TRANS NPN 230V 15A TO264

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
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原裝正品,歡迎咨詢
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