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2SB1386

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1386

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB1386

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ?Lowcollectorsaturationvoltage, ?Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SB1386

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SB1386

Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SB1386

Low collector saturation voltage

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

2SB1386

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SB1386

PNP Transistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SB1386

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1386

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1386

Low Frequency Transistor(-20V,-5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1386

Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon

EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon

WEITRON

Weitron Technology

2SB1386

LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1386

Low Frequency Transistor

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SB1386

PNP Silicon Low Frequency Transistor

FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsthe2SD2098

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1386

PNP Silicon Low Frequency Transistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1386

LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1386

Low frequency transistor (−20V, −5A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1386_V01

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1386L-P-AB3-B-R

LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1386

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1302,2SB1308,

  • 最大耗散功率：

    0.75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    30

  • htest：

    120000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    0.75

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SB1386

  • 制造商：

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SECOSGMBH
18+
SOT89
263500
一級代理/全新現(xiàn)貨/長期供應(yīng)!
 詢價
長電
24+
SOT-89
20000
十年沉淀唯有原裝
 詢價
CJ/長電
2021+
SOT-89
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
CJ/長晶
24+
SOT-89-3L
30000
長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價
 詢價
CJ/長晶
23+
SOT-89
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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ROHM/羅姆
24+
SOT89
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
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NK/南科功率
SOT-89
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
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ROHM
16+
SOT-89
500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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ROHM
23+
SOT-89
46000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ROHM
2016+
SOT-89
3500
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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更多2SB1386供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 16:00:00

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