日本国产亚洲精品在久国产 ,国产精品国产一级A片精品免费,日韩精品无码一级毛片不是卡

首頁 >2SB1260>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2SB1260	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SB1260	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistor PNPPlastic-EncapsulateTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1260	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1260	文件：220.75 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SB1260	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat). ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1260	文件：193.99 Kbytes Page：2 Pages	-1 A, -80 V PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ?HighbreakdownvoltageandhighcurrentBVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFElinearity ?Complementsto2SD1898	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A) Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,goodhFElinearity,lowVCE(sat),complementsthe2SD1898. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ?Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFEVLinearity. ?LowVCE(sat). ?Complementsthe2SD1898.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SB1260	文件：612.42 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor(-80V,-1A) FEATURES Highbreakdownvoltageand highcurrent. BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFEVLinearity. LowVCE(sat). Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1260	文件：1.16743 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1260	文件：188.72 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor(-80V,-1A) FEATURES ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFEVLinearity. ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS ●EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SB1260	文件：1.74143 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-encapsulate PNP Transistors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SB1260	文件：154.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SB1260	文件：236.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-80V, -1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM

12 3 4 5 >>>

晶體管資料

型號：
2SB1260
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1364,2SA1416,2SB766A,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,BCX53,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SB1260
制造商：
ROHM Semiconductor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	2SB1260	CJ	19+	SOT-89	9000		詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SB1260	長電/長晶	23+	SOT-89	30000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SB1260	CJ/長晶	20+	SOT-89	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	2SB1260	ROHM/羅姆	23+	SOT89	35680	只做進(jìn)口原裝QQ:373621633	詢價
深圳市金泰福電子科技有限公司	2SB1260	CJ/長晶	24+	SOT-89-3L	30000	長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價	詢價
中科航電（深圳）電子集團有限公司	2SB1260	ROHM/羅姆	24+	SOT89	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	2SB1260	ROHMCJ	2024	SOT-89	58209	16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道更多數(shù)量	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	2SB1260	NK/南科功率		SOT-89	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1260	ROHM	24+	SOT-89	7200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	2SB1260	ROHM	2016+	SOT89	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價

更多2SB1260供應(yīng)商更新時間2024-12-23 16:06:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存