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2SB1182TLQ	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182TLQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 32V 2A CPT3	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SB1182	文件：153.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：1.36409 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L(4R)Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerDissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：166.54 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1182	文件：176.71 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor FEATURES ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1758 APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：329.06 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?Smallandslimpackage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：757.83 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1758. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1182	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：39.98 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor ■Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V ●Complementaryto2SD1758	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1182	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1182	文件：1.13367 Mbytes Page：5 Pages	PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1182D	文件：263.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES The2SB1182DXisdesignedformediumpoweramplifierapplication Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) RoHSCompliantProduct	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1182P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2SB1182TLQ
制造商：
Rohm Semiconductor
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
CPT3
描述：
TRANS PNP 32V 2A CPT3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	2SB1182TLQ	ROHM/羅姆	24+	TO252	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SB1182TLQ	ROHM	2020+	NA	12000	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	2SB1182TLQ	原廠原包	24+	原裝	38560	原裝進口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同	詢價
深圳市索歌特科技有限公司	2SB1182TLQ	ROHM	22+		18000	華南區(qū)總代	詢價
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	2SB1182TLQ	ROHM/羅姆	24+	TO-252ROHM	3700	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	2SB1182TLQ	ROHM/羅姆	24+	TO-252	505348	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市一線半導體有限公司	2SB1182TLQ	ROHM	24+	TO-252	8700	新進庫存/原裝	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	2SB1182TLQ	ROHM	2016+	TO-252	6600	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SB1182TLQ	ROHM	23+	TO-252	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	2SB1182TLQ	Rohm	23+	SOT-428	6680	全新原裝優(yōu)勢	詢價

更多2SB1182TLQ供應商更新時間2024-12-23 16:36:00

產(chǎn)品屬性

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