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2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCdurrentgain ?Complementtotype2SD1605 APPLICATIONS ?Designedforuseinlowfrequencypoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCdurrentgain ?Complementtotype2SD1605 APPLICATIONS ?Designedforuseinlowfrequencypoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCdurrentgain ?Complementtotype2SD1605 APPLICATIONS ?Designedforuseinlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1105

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@(VCE=-3V,lc=-1.5 ?ComplementtoType2SD1605 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1105_15

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB1105_2014

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SB1105

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDT60C,BDW54D,2SB884,2SB1339,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SB1105

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -120V -3A 30W BCE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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