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2SB1110

SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER)

COMPLEMENTARYPAIR2SD1609and2SD1610(NPN)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1114

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■Features ●HighDccurrentgainhFE=135to600 ●LowVCE(sat)VCE(sat)=-0.3Vat1.5A ●Complementaryto2SD1614

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1114

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION 2SB1114isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierandswitchingapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ●WorldStandardMiniaturePackage ●HighDCCurrentGainhFE=135to600 ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.3Vat1.5A ●Complementto2SD1614

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB1114

PNP Silicon General USE Transistors

PNP-SiliconGeneraluseTransistors 1W、1.5A、25V Applications：Canbeusedforswitchingandamplifyinginvarious electricalandelectroniccircuit.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SB1115

World standard miniature package

FEATURES WorldStandardMiniaturePackage LowVCE(sat):VCE(sat)=-0.2Vat1A

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SB1115

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION 2SB1115,2SB1115Aaredesignedforaudiofrequencypoweramplifierandswitchingapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuit. FEATURES ●WorldStandardMiniaturePackage ●LowVCE(sat):VCE(sat)=-0.2Vat1A ●Complementto2SD1615,2SD1615A

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB1115

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■Features ●LowVCE(sat)VCE(sat)=-0.2Vat1A ●Complementaryto2SD1615

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1115A

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION 2SB1115,2SB1115Aaredesignedforaudiofrequencypoweramplifierandswitchingapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuit. FEATURES ●WorldStandardMiniaturePackage ●LowVCE(sat):VCE(sat)=-0.2Vat1A ●Complementto2SD1615,2SD1615A

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB1115A

PNP Silicon Epitaxial Transistor

Features ●Worldstandardminiaturepackage. ●LowVCE(sat):VCE(sat)=-0.2Vat1A

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1116

PNP SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION The2SB1116/2SB1116AaredisignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplications.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1119

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    180MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BCX51,BCX52,BCX53,BCX69,BCX869,2SA1207,2SA1365,2SA1314,2SB798,2SB956,2SB1000,2SB1132,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    25

  • htest：

    180000000

  • atest：

    1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB111

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY SANYO TRANS. SC-62-25V -1A .5W ECB SURFACE MT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SANYO
2024
SOT-89
13500
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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SANYO
24+
SOT-89
7932
新進庫存/原裝
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三洋
24+
SOT-89
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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SANYO
23+
SOT-89
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全新原裝現(xiàn)貨
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SOT89
30000
百域芯原廠出品 品質(zhì)保證 可開13點增值稅
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更多2SB111供應(yīng)商 更新時間2025-3-23 17:06:00

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