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2SB1105中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1105
廠商型號

2SB1105

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

186.91 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-1 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SB1105

  • 別名:

    2SB1105三極管、2SB1105晶體管、2SB1105晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDT60C,BDW54D,2SB884,2SB1339,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

2SB1105規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min)

? High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5

? Complement to Type 2SD1605

APPLICATIONS

? Designed for low frequency power amplifiers applications.

產品屬性

  • 型號:

    2SB1105

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -120V -3A 30W BCE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HITACHI/日立
23+
NA/
6340
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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22+
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100000
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
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