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2N4231

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0.

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N4231

Power Transistors

PowerTransistorsTO-66Case

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N4231

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N4231

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

2N4231

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N4231A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N4231A

POWER TRANSISTORS(5A,75W)

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0.

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

2N4231A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0.

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N4231A

Power Transistors

PowerTransistorsTO-66Case

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N4231A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N4231A

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N4231A

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66

SEME-LAB

Seme LAB

2N4231A_15

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N4231

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD241,BD243A,BD535,BD539A,BD597,BD607,2N3054,3DD30A,

  • 最大耗散功率：

    35W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    50

  • htest：

    4000100

  • atest：

    3

  • wtest：

    35

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N4231

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2N4231供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 16:30:00

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