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2N4250

Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications

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CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N4250

SILICON PNP TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N4250

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-106-3 凸面鏡 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 40V TO106

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N4250A

Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N4250A

SILICON PNP TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N4250A

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V TO126

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

晶體管資料

  • 型號:

    2N4250

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    >15MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFT33,BFT34,BUX34,BUY80,2N4309,2N5338,2N5339,3DK204B,

  • 最大耗散功率:

    8.75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    15000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    8.75

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N4250

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-106-3 凸面鏡

  • 供應商器件封裝:

    TO-106

  • 描述:

    TRANS PNP 40V TO106

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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