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2N4233A | MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N4233A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N4233A | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N4233A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N4233A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N4233A | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4233A | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N4233A | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4233A | 包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BD243B,BD539C,BD953,2N3054,3DD67D,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
90
- htest：
4000100
- atest：
5
- wtest：
75
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N4233A
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
SAMTEK |
新 |
37 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
MOTO |
TO3 |
1235 |
優(yōu)勢(shì)庫存 |
詢價(jià) | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
96 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
2048+ |
TO-3 |
9851 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Microchip |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
N/A |
24+/25+ |
37 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4231 |
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詢價(jià) |
