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2N4123

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N4123

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N4123

NPN General Purpose Amplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers andswitchesrequiringcollectorcurrentsto100mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ThroughHoleTO-92Package ?Capableof625mWattsofPowerDissipation ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Mois

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4123

Small Signal Transistors

SmallSignalTransistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N4123

General Purpose Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4123

NPN General Purpose Amplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4123

General Purpose Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4123

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N4123

General Purpose

Motorola

Motorola, Inc

2N4123_01

NPN General Purpose Amplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4123_07

General Purpose Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4123_08

General Purpose Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4123_11

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4123_13

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4123_15

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N4123RLRM

General Purpose Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4123-AP

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 30V 0.2A TO92

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N4123

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N2220,2N2221,2N2222(A),2N2222,2N2221(A),3DK40A,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.625

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2N4123

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TO-92

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HGF
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更多2N4123供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 16:40:00