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2N3906-G

General Purpose transistor

Features -PNPsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingandamplifierapplication. -Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904-Gisrecommended. -ThistransistorisavailableintheSOT-23casewiththetypedesignationMMBT3906-G.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

2N3906-G

Package:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 40V 0.2A TO92

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

2N3906N

PNPSiliconTransistor

Descriptions ?Generalsmallsignalapplication ?Switchingapplication Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltage:0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA ?Lowcollectoroutputcapacitance:4.5pF(Max.)@VCB=-5V,IE=0,f=1MHz ?Complementarypairwith2N3904N

AUK

AUK corp

2N3906RLRA

GeneralPurposeTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3906RLRA

GeneralPurposeTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3906RLRA

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3906RLRAG

GeneralPurposeTransistors

ONSEMION Semiconductor

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2N3906RLRAG

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3906RLRE

GeneralPurposeTransistors

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2N3906RLRM

GeneralPurposeTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3906-G

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A TO92

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Comchip Technology
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TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!-
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更多2N3906-G供應(yīng)商 更新時間2025-3-22 18:24:00