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021N13N6

型號：IPF021N13NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多021N13N6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 11:36:00

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