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IPT026N12NM6

Marking：026N12N6；Package：PG-HSOF-8；OptiMOS? 6 Power ?Transistor, 120 V

Features ?N?channel,normallevel ?Verylowon?resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRproduct(FOM)DS(on) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitching ?Pb?freeleadplatin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPTC026N12NM6

Marking：026N12N6；Package：PG-HDSOP-16；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?OptimizedforhighfrequencyswitchingandTopsidecooling ?Pb-free

InfineonInfineon Technologies AG

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更多026N12N6供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 16:05:00

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