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BSC027N10NS5

Marking:027N10N;Package:PG-TSON-8-3;OptiMOSTM Power-Transistor, 100 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISC027N10NM6

Marking:027N10N6;Package:PG-TDSON-8FL;OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

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