首頁(yè)>熱銷型號(hào)第138頁(yè)>ZTX857QSTZ>詳情

ZTX857QSTZ_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-PAM

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原廠料號(hào)：ZTX857QSTZ品牌：Diodes Incorporated

資料說(shuō)明：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM

ZTX857QSTZ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝E-Line-3，成型引線的ZTX857QSTZ晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào)：

    ztx857qstz

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    PAM詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 資料說(shuō)明：

    PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ZTX857QSTZ

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 600mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    80MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    E-Line-3，成型引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    E-Line（TO-92 兼容）

  • 描述：

    PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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