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ZTX853QSTZ_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-PAM

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原廠料號：ZTX853QSTZ品牌：Diodes Incorporated

資料說明：PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

ZTX853QSTZ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝E-Line-3，成型引線的ZTX853QSTZ晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    ztx853qstz

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    PAM詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 資料說明：

    PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    ZTX853QSTZ

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 400mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    E-Line-3，成型引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    E-Line（TO-92 兼容）

  • 描述：

    PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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