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TW083Z65C

Marking:W083Z65C;Package:TO-247-4L;MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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TO
6000
原裝正品,假一罰十
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更多W083Z65C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 11:10:00