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VP1008M中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VP1008M
廠商型號(hào)

VP1008M

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors

文件大小

93.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 20:00:00

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VP1008M規(guī)格書(shū)詳情

Features

● High-Side Switching

● Low Cm-Resistance: 2.5 Q

● Moderate Threshold: -3.4 V

● Fast Switching Speed: 40 ns

● Low Input Capacitance: 75 pF

Benefits

● Ease in Driving Switches

● Low Offset (Error) Voltage

● Low-VoltageOperation

● High-Speed Switching

● Easily Driven Without Buffer

Applications

● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.

● Battery Operated Systems

● Power Supply, ConverterCircuits

● Motor Control

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