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VP1008B中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VP1008B
廠商型號

VP1008B
功能描述

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
文件大小

93.68 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 14:16:00
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VP1008B規(guī)格書詳情

Features

● High-Side Switching

● Low Cm-Resistance: 2.5 Q

● Moderate Threshold: -3.4 V

● Fast Switching Speed: 40 ns

● Low Input Capacitance: 75 pF

Benefits

● Ease in Driving Switches

● Low Offset (Error) Voltage

● Low-VoltageOperation

● High-Speed Switching

● Easily Driven Without Buffer

Applications

● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.

● Battery Operated Systems

● Power Supply, ConverterCircuits

● Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    VP1008B

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 5 OHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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