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VBM2309	文件：582.43 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
2309	文件：96.1 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 費(fèi)斯托公司德國(guó)FESTO費(fèi)斯托（中國(guó)）有限公司	FESTO
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
AIC2309	文件：223.42 Kbytes Page：10 Pages	1ADualSynchronousStep-downDC/DCConverter	AIC AIC Inc.（Advanced Industrial Computer, Inc.）	AIC
AM2309	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET20VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2309isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ?VDS=-20V RDS(ON),VGS@-4.5V,IDS@-2.8A=100mΩ RDS(ON),VGS@-2.5V,IDS@-2.0A=150mΩ ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageand	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2309P	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2309AGN	文件：1.04724 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP2309AGN-HF	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GEN-HF	文件：103.43 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN	文件：69.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN	文件：1.04714 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP2309GN-HF	文件：113.75 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2309N	文件：69.45 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommerciali-ndustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
APM2309AC-TRL	文件：1.05142 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AT-2309	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
BC2309A	文件：503.86 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheBC2309AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch. DS(on)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI

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更多VBM2309供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 15:00:00

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