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2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	High Current Toroid Inductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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AIC2309	文件：223.42 Kbytes Page：10 Pages	1ADualSynchronousStep-downDC/DCConverter	AIC AIC Inc.（Advanced Industrial Computer, Inc.）	AIC
AM2309	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET20VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2309isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ?VDS=-20V RDS(ON),VGS@-4.5V,IDS@-2.8A=100mΩ RDS(ON),VGS@-2.5V,IDS@-2.0A=150mΩ ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageand	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2309P	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2309AGN	文件：1.04724 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP2309AGN-HF	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GEN-HF	文件：103.43 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN	文件：69.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN	文件：1.04714 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP2309GN-HF	文件：113.75 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309N	文件：69.45 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommerciali-ndustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2309AC-TRL	文件：1.05142 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AT-2309	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機株式會社	HIROSE
BC2309A	文件：503.86 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheBC2309AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch. DS(on)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BP2309	文件：401.05 Kbytes Page：8 Pages	Non-isolatedstep-downactivePFCLEDdriverpicture	BPSBright Power Semiconductor Co., Ltd. 晶豐明源上海晶豐明源半導體股份有限公司	BPS
CES2309	文件：139.06 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-2.2A,RDS(ON)=165m?@VGS=-4.5V. RDS(ON)=300m?@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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更多2309-RC供應商更新時間2025-1-11 11:03:00

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