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VBE1158N

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

FEATURES Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses 100RgTested 100AvalancheTested ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1158N_V01

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

FEATURES Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses 100RgTested 100AvalancheTested ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS PrimarySideSwitch

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微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1201K

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

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微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1201K_V01

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1201M

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1201M_V01

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1202

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1202_V01

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1203M

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1203M_V01

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VBE

  • 功能描述：

    橋式整流器 100 Amps 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay

  • 產(chǎn)品：

    Single Phase Bridge

  • 峰值反向電壓：

    1000 V 最大 RMS

  • 正向連續(xù)電流：

    4.5 A

  • 最大浪涌電流：

    450 A

  • 正向電壓下降：

    1 V

  • 最大反向漏泄電流：

    10 uA

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 長度：

    30.3 mm

  • 寬度：

    4.1 mm

  • 高度：

    20.3 mm

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    SIP-4

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
10+
主營模塊
85
原裝正品,公司正品供應
 詢價
IXYS
24+
ECO-PAC1
48
詢價
IXYS
23+
模塊
3562
詢價
IXYS
23+
DIODEBRIDGEFAST2000VV1-A
1690
專業(yè)代理銷售半導體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYSCORPORATION
新
10
全新原裝 貨期兩周
 詢價
IXYS
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
 詢價
IXYS
24+
N/A
90000
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
 詢價
IXYS
21+
模塊
12588
原裝正品,一級品牌代理
 詢價
6000
絕對原裝自己現(xiàn)貨
 詢價
更多VBE供應商 更新時間2025-4-1 11:04:00

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