首頁(yè) >VB20100S-E3>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

VB20100S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJES

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20100S-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VB20100S-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VIS
22+
TO-263AB
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
VIS
23+
TO-263AB
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
VIS
22+
TO-263AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
VIS
24+
TO-263AB
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
Vishay/GeneralSemiconduc
24+
TO-263
1600
詢價(jià)
VISHAY
23+
TO-263AB
6680
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
General Semiconductor / Vishay
2022+
601
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
VISHAY
21+
TO-263
1457
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多VB20100S-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 14:00:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多