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VB30100S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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包裝:管件 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.39VatIF=5A

UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VB30100S-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    TMBS?

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263AB(D2PAK)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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