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V20M120M-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多V20M120M-E3_V01供應(yīng)商 更新時間2025-1-2 10:08:00

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