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V20PW22

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20PW22HM3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20PW22-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20PW22C-M3/I

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:20A, 200V, SLIMDPAK, DUAL TRENCH

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20PW22HM3/I

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:20A, 200V, SLIMDPAK, SINGLE TREN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V20PW22-M3/I

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:20A, 200V, SLIMDPAK, SINGLE TREN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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