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V20M100M-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusei

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20M100M-E3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20M100M-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusei

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20M100M-E3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V20M100M-E3供應商 更新時間2025-1-2 14:30:00

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