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UPD75306BGF-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V ?Canbedrivenbytwo1.5Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory ?Programmemory(ROM):8064′8bit(mPD75308B) :6016′8bit(mPD75306B) :4096′8bit(mPD75304B) ?Datamemory(RAM):512′4bit ·Instructionexe

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD75306BGF-XXX-3B9供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 10:14:00

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