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UD04N65	文件：766.94 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UD04N65	文件：1.07806 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UD04N65	文件：1.16349 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
04N65	文件：1.97664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AM04N65	文件：827.56 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET650V,4AN-CHANNEL FEATURE ?RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V ?HighCurrentRating ?LowerCapacitance ?LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss ?FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION ?Adaptor ?Charger ?SMPSStandbyPower	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
CEB04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB04N65A	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED04N65	文件：472.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED04N65A	文件：479.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,3.1A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP04N65	文件：364.49 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEU04N65	文件：1.28974 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEU04N65	文件：472.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CJB04N65A	文件：539.25 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI

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更多UD04N65供應商更新時間2024-11-7 16:00:00

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