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Marking：U1E；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RFAMPLIFIERFORCATVTUNER N-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR 4PINSSUPERMINIMOLD FEATURES ?LowVDDUse:(VDS=3.5V) ?DrivingBattery ?LowNoiseFigure:NF1=2.0dBTYP.(f=470MHz) NF2=0.8dBTYP.(f=55MHz) ?HighPowerGain:GPS=19.0dBTYP.(f=4 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
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