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TW083N65C

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TW083N65CS1F

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

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更多TW083N65C供應商 更新時間2025-3-24 16:58:00

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