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TW140N120C

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=140m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TW140N120CS1F

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=140m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage

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更多TW140N120C供應商 更新時間2024-9-9 14:33:00

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