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TSHG5410_V02

High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero

DESCRIPTION TSHG5410isaninfrared,850nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Leadswithstand-off ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSFF5410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,870nm,GaAlAsDoubleHetero

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHF5410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,890nm,GaAlAsDoubleHetero

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更多TSHG5410_V02供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 9:01:00

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