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TSFF5410_V02

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

DESCRIPTION TSFF5410isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage.

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHF5410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,890nm,GaAlAsDoubleHetero

DESCRIPTION TSHF5410isaninfrared,890nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Leadswithstand-off ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHG5410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,850nm,GaAlAsDoubleHetero

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更多TSFF5410_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 9:00:00

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