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TSD1N60	文件：1.08791 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TSM1N60	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8? GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60CH	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8? GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60CP	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8? GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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TSM1N60L	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60L	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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TSM1N60LCPRO	文件：1.17854 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TSM1N60LCPRO	文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60S	文件：166.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET GeneralDescription TheTSM1N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergye	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60S	文件：371.46 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM1N60SCT	文件：371.46 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
WFD1N60	文件：1.08791 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
WFD1N60	文件：586.55 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFF1N60CT	文件：1.64457 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFN1N60	文件：408.82 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市新力誠(chéng)科技有限公司	TSD1N60	truesemi	2020+	TO-252	37420	公司代理品牌,原裝現(xiàn)貨超低價(jià)清倉(cāng)!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	TSD1N60	T	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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更多TSD1N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 13:50:00

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