女主播喷水免费直播,精品亚洲456在线播放

首頁(yè) >TRS20N65D>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
TRS20N65D	文件：163.99 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TRS20N65D,S1F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
20N65	文件：133.81 Kbytes Page：3 Pages	20A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC20N65isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
20N65A	文件：891.65 Kbytes Page：6 Pages	20A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
20N65Y	文件：481.89 Kbytes Page：7 Pages	20Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
AM20N65	文件：1.47166 Mbytes Page：11 Pages	MOSFET650V,20AN-CHANNEL FEATURE ?ProprietaryNewPlanarTechnology ?RDS(ON),typ.typ.=0.38?@VGS=10V ?LowGateChargeMinimizeSwitchingLoss ?FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM20N65isavailableinTO220andTO220F Packages. APPLICATIONS ?Adaptor ?TVMainPower ?SMPSPowerSupply ?LCDPanel	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
CEB20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. Fastreverserecoverytime. Drivecircuitscanbesimple.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CECS20N65LN	文件：500.16 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,19A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CECS20N65SA	文件：633.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,19A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. Fastreverserecoverytime. Drivecircuitscanbesimple.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. Fastreverserecoverytime. Drivecircuitscanbesimple.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEW20N65SA	文件：455.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,20A,RDS(ON)=0.18W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	LowIntrinsicCapacitances	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	22+	TO-247	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	21+	TO-247	5590	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	22+	TO-247	14100	原裝正品	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	2022+	TO-247	45000	我司100%原裝正品現(xiàn)貨,現(xiàn)貨眾多歡迎加微信	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	22+	TO-247	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	TRS20N65D	TOSHIBA/東芝	24+	TO-247	1800	只做原裝只有原裝假一罰百可開增值稅票	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	TRS20N65DS1F	TOSHIBA	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	TRS20N65DS1F	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	TO-247-3	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司	TRS20N65FB	TOSHIBA	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	TRS20N65FB,S1Q	TOSHIBA			2		詢價(jià)

更多TRS20N65D供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 10:02:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存