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TPW1R104PB

Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.95mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPH1R104PB

SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.95mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

XPH1R104PS

N-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=840V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.14mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SolarInverters ·Motordrive ·DC-DCconverter ·powerswitchandsolenoiddrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

XPH1R104PS

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)AEC-Q101qualified (2)Small,thinpackage (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.95mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:Vth=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多TPW1R104PB供應(yīng)商 更新時間2025-3-25 15:00:00

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