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TPN2010FNH

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (

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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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更多TPN2010FNH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-27 14:00:00

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