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TPN6R303NC

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?Lithium-IonSecondaryBatteries ?PowerManagementSwitches Features (1)Small,thinpackage (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=5.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (4)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多TPN6R303NC,LQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 8:24:00