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TPCP8701(TE85L,F,M_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：TPCP8701(TE85L,F,M品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TPCP8701(TE85L,F,M是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝8-SMD，扁平引線的TPCP8701(TE85L,F,M晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號：

    tpcp8701(te85l,f,m

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TPCP8701(TE85L,F,M

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    3A

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    80V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    140mV @ 20mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    400 @ 300mA，2V

  • 功率 - 最大值：

    1.77W

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    PS-8

  • 描述：

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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