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BC856B/DG/B4VL_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列-Nexperia USA Inc.

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原廠料號(hào)：BC856B/DG/B4VL品牌：Nexperia USA Inc.

資料說明：TRANSISTOR GEN PURP

BC856B/DG/B4VL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商N(yùn)experia USA Inc.生產(chǎn)封裝的BC856B/DG/B4VL晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個(gè)或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補(bǔ)的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號(hào)：

    bc856b/dg/b4vl

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    TRANSISTOR GEN PURP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC856B/DG/B4VL

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    2 PNP（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 功率 - 最大值：

    250mW

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    TRANSISTOR GEN PURP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
23+
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深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談
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百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅發(fā)票
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PHA
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PHA
23+
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